|
| |
|
Дата: 06:00 27.02.2012 / Добавил: Робот / Комментарии (0)
В апреле прошлого года компании Toshiba и SanDisk совместно заявили, что впервые в мире им удалось перейти черту 20 нм техпроцесса, изготовив флэш-память по 19 нм топологии. Хорошей новостью было то, что меньшая по размерам, более дешевая и ёмкая NAND память могла быть построена на MLC транзисторах (2 бита на ячейку), при этом 16 кристаллов были упакованы в единую микросхему.
|
|
