|
|
Дата: 07:09 06.01.2016 / Добавил: Робот / Комментарии (0)
Устройство применяет вертикальную архитектуру Samsung — V-NAND, и может развивать скорость чтения и записи в диапазоне от 450 Мб/с. Но самым главным новшеством накопителя являются разные объемы - Т3 доступен на 250 Гб, 500 Гб, 1 Тб, а также колоссальные 2 ТБ памяти.
|
|