Дата: 07:09 06.01.2016 / Добавил: Робот / Комментарии (0)
Устройство применяет вертикальную архитектуру Samsung — V-NAND, и может развивать скорость чтения и записи в диапазоне от 450 Мб/с. Но самым главным новшеством накопителя являются разные объемы - Т3 доступен на 250 Гб, 500 Гб, 1 Тб, а также колоссальные 2 ТБ памяти.
SQL общее время: 0.006 секунд SQL запросов всего: 18
Администрация
сайта не несет
ответственности за
содержание рекламных
материалов, а так же за
информацию размещаемой
посетителями. При
использовании материалов
сайта ссылка на svdpro.info
обязательна.