Дабы не повторять прежних ошибок, тайваньские исследователи намерены создать память формата RRAM более похожей на экспериментальные модули памяти PRAM (Phase-change memory), разработки которой также ведутся на Тайване.
SQL общее время: 0.009 секунд SQL запросов всего: 18
Администрация
сайта не несет
ответственности за
содержание рекламных
материалов, а так же за
информацию размещаемой
посетителями. При
использовании материалов
сайта ссылка на svdpro.info
обязательна.