| Сайтом управляют :: |
Администраторы:
Сергей: icq 90-42-10
Авторы:
sLash: icq 229-792-710
Мастер: icq 228-323-825
Присоединиться » |
|
|
 |
|
| |
|
Дата: 19:09 17.11.2016 / Добавил: Робот / Комментарии (0)
По сравнению с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм кристаллов эффективная площать поверхности увеличена на 30%, производительность – на 27%, а энергопотребление снижено на 40%. То есть Snapdragon 835 не только станет меньше предшественников, но и будет экономнее расходовать батарею.
|
|
|
