По сравнению с 14-нм FinFET-чипами у 10-нм кристаллов эффективная площать поверхности увеличена на 30%, производительность – на 27%, а энергопотребление снижено на 40%. То есть Snapdragon 835 не только станет меньше предшественников, но и будет экономнее расходовать батарею.
SQL общее время: 0.021 секунд SQL запросов всего: 18
Администрация
сайта не несет
ответственности за
содержание рекламных
материалов, а так же за
информацию размещаемой
посетителями. При
использовании материалов
сайта ссылка на svdpro.info
обязательна.